FDV303N دیتاشیت

FDV303N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDV303N
حجم فایل 64.859 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت FDV303N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDV303N 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDV303N
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 2.3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 50pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 680mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 450mΩ@4.5V,500mA
  • Package: SOT-23

محصولات مشابه